歡迎光臨深圳九州工業(yè)品有限公司！
咨詢電話
15766191432
15766191432
products
產品分類
更新時間：2025-10-10 
瀏覽次數(shù)：124PULSTEC 是一家在X射線分析領域，特別是在現(xiàn)場、快速、無損檢測方面享有極的高聲譽的日本公司。其最著名的產品系列就是 μ-X360 系列X射線單晶取向測量裝置。這款設備在全球半導體、功能晶體和高的端材料研究領域被廣泛應用。
傳統(tǒng)的高精度X射線衍射設備通常體積龐大、環(huán)境要求苛刻、測量速度慢，且需要專業(yè)的操作人員。PULSTEC μ-X360 系列的核心設計理念是打破這一局限，提供一種：
快速：數(shù)秒至數(shù)十秒內完成測量。
無損：X射線功率極低，不會對樣品造成損傷。
便攜/緊湊：設備小巧，可放置在實驗室臺面，甚至帶到生產現(xiàn)場。
操作簡單：無需深厚的X射線衍射專業(yè)知識，普通技術人員經過簡單培訓即可操作。
它旨在將高精度的晶體取向分析從專門的X射線實驗室?guī)?span style="font-weight: 600;">生產線、研發(fā)車間和質檢部門，實現(xiàn)100%在線或現(xiàn)場質檢。
PULSTEC的裝置核心采用 X射線勞厄背反射法。這是理解其為何能如此快速測量的關鍵。
光源：設備使用一個微焦點X射線管，產生連續(xù)波長的白色X射線（與單色X射線不同）。
照射：這束準直后的白色X射線照射到待測的單晶樣品（如硅片、藍寶石、LiNbO?晶圓等）上。
衍射：根據(jù)布拉格定律，晶體中不同晶面族會從這束“白色"X射線中選擇滿足衍射條件的特定波長進行反射。
成像：這些被不同晶面反射的X射線，會在一維或二維的探測器上形成一系列清晰的斑點，稱為 “勞厄斑點"。
模式分析：勞厄斑點的分布圖案與晶體的絕對取向是一一對應的關系。就像人的指紋一樣，不同的晶體結構和取向會產生獨的一的無的二的勞厄斑點圖案。
設備的工作流程：
照射樣品 → 探測器捕獲勞厄斑點圖案 → 內置軟件將捕獲的圖案與根據(jù)已知晶體結構理論計算出的標準圖案進行高速匹配和計算 → 瞬間輸出晶體的三維空間取向（歐拉角：φ, ψ, ω）、晶向偏差、晶界角度等關鍵參數(shù)。
其核心產品是 μ-X360 系列，根據(jù)應用場景和功能有不同的型號，例如 μ-X360, μ-X360S, μ-X360n 等。
代表型號：μ-X360S
主要特點：
超高速測量：最快僅需1秒鐘即可完成一次完整的取向測量，非常適合在線全檢。
高精度：取向測量精度可達 <0.01°，能夠檢測出極其微小的晶格偏轉。
卓的越的空間分辨率：得益于微焦點X射線源，測量光斑可以非常?。〝?shù)十微米量級），可以用于測量小樣品或觀察樣品上不同位置的取向變化。
無需掃描：與需要旋轉樣品臺的XRD不同，勞厄法在樣品和探測器保持靜止的狀態(tài)下即可完成測量，這是其速度快的主要原因。
絕對取向測量：可以直接給出晶體相對于樣品坐標系（如晶圓邊緣）的絕對取向，而不僅僅是相對值。
用戶友好軟件：軟件界面直觀，通常一鍵即可完成測量和分析，自動生成報告和圖表。
半導體行業(yè)
硅晶圓：確認晶圓的晶向（100, 110, 111）、定位扁平邊/缺口的位置精度。
功率器件：對SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）等寬禁帶半導體晶圓的取向進行快速篩查和確認。這對功率器件的性能和良率至關重要。
SOI晶圓：確認表面硅層的晶體取向。
功能晶體與光學材料
激光晶體：如YAG、LiNbO?（鈮酸鋰）、LiTaO?（鉭酸鋰）等，確保加工前的坯料取向正確，否則會影響激光性能和光學轉換效率。
光學晶體：如CaF?（氟化鈣）、KDP等，用于確認切割方位。
金屬材料研究
高溫合金單晶葉片：用于航空發(fā)動機和燃氣輪機，確保葉片的晶體取向與設計要求一致，這是保證其高溫強度和蠕變性能的關鍵。
晶粒取向分析：雖然主要用于單晶，但對于大晶粒的多晶材料，也可以對單個晶粒進行取向分析。
地質與考古學
快速分析礦物、寶石的單晶取向。
| 特性 | PULSTEC μ-X360 (勞厄法) | 傳統(tǒng)高分辨率XRD (如四圓衍射儀) |
|---|---|---|
| 測量速度 | 極快 (秒級) | 慢 (分鐘到小時) |
| X射線 | 連續(xù)波長 (白色X射線) | 單色X射線 (如Cu-Kα) |
| 樣品運動 | 通常固定不動 | 需要復雜的多軸 (θ, 2θ, φ, ψ) 掃描 |
| 輸出信息 | 絕對取向、晶界角 | 晶格常數(shù)、應變、物相、 rocking curve |
| 操作難度 | 簡單，易于上手 | 復雜，需要專業(yè)人員 |
| 主要用途 | 快速取向確認與質檢 | 深入的晶體結構、質量分析 |
日本 PULSTEC 的 μ-X360 系列X線單晶方位測量裝置 是一款革命性的工業(yè)級無損檢測儀器。它成功地將高精度的晶體學測量從實驗室?guī)肓松a現(xiàn)場，實現(xiàn)了晶體取向測量的“工業(yè)化"和“在線化"。
其核心價值在于：
為質量控制提供了量化標準：將原本依賴間接參數(shù)或破壞性檢測的工藝，變成了快速、無損、定量的100%全檢。
極大地提升了生產效率和良率：能夠即時發(fā)現(xiàn)取向錯誤的原材料或半成品，避免后續(xù)加工資源的浪費。
推動了高的端材料制造的發(fā)展：特別是在第三代半導體、航空航天單晶葉片等領域，成為了工藝控制和材料篩選不的可的或的缺的“標尺"。
如果您的工作涉及單晶材料的制備、加工或質量控制，PULSTEC 的這款設備無疑是解決取向測量難題的最佳工具之一。
您的位置：
在線咨詢
返回頂部