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  • HE-960RW-GC(W)日本horiba雙通道電阻率計
    HE-960RW-GC(W)日本horiba雙通道電阻率計

    日本horiba雙通道電阻率計HE-960RW-GC(W) HE-960RW-GC(W) 是一款可以同步測量的雙通道碳傳感器電阻率計,可連接兩個傳感器。測量范圍為:0 - 100.0 MΩ?cm。同步測量兩個不同位置的電阻率輸出時保持高性能和高精度。測量在一個簡單的轉(zhuǎn)換器中進行,以獲得整體的成本效益。

    更新時間:2024-08-28
  • UP-100日本horiba微量 pH計
    UP-100日本horiba微量 pH計

    日本horiba微量 pH計 UP-100 HORIBA 采用新型超微毛細管電極對其pH 測量技術(shù)進行二次研發(fā)。HORIBA 的 UP-100 系列提供僅 500 uL/單次測量的超低樣品消耗,支持對包括半導體(清洗、刻蝕和電鍍)、化學制造、生物、制藥、食品加工等在內(nèi)的各種關鍵制程進行連續(xù)的 pH 監(jiān)控。設計連續(xù)運行時間 6 個月,無需操作人員干預,有效的減少停機時間

    更新時間:2024-08-28
  • CS-600F日本horiba光纖型化學藥液濃度計
    CS-600F日本horiba光纖型化學藥液濃度計

    日本horiba光纖型化學藥液濃度計 CS-600F CS-600F 提供適合生產(chǎn)的更高級功能,如在各種應用中對高溫化學藥液進行在線測量的能力,減少停機時間的穩(wěn)定運行,以及提高空間生產(chǎn)率的緊湊尺寸,以滿足先進半導體濕法制程所需的準確化學藥液濃度管理。

    更新時間:2024-08-28
  • CS-620F日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計
    CS-620F日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計

    日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計 CS-620F 在 3D NAND 制程中,沉積幾十層二氧化硅和氮化硅,并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中,通過控制化學藥液的濃度和溫度,可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號很難測量高溫化學藥液,但 CS-620F 能夠在高達 170℃ 的高溫下進行測量。使用吸收光譜進行連續(xù)測量,與其他方法相比,需要的維護和耗材更少。

    更新時間:2024-08-28
  • NDH 8000SP日本NIPPON DENSHOKU 開創(chuàng)性霧度計 赫茲
    NDH 8000SP日本NIPPON DENSHOKU 開創(chuàng)性霧度計 赫茲

    日本konicaminolta分光光度計CM-36dGV 產(chǎn)品概述日本NIPPON DENSHOKU 開創(chuàng)性霧度計 赫茲 主要用于粉末、顏料、紙張、紡織品等的色彩管理。 可以同時測量顏色和光澤,同時保持與 CM-3610A 的數(shù)據(jù)兼容性(*使用 SCI/LAV 時) 使用場景:紡織/服裝

    更新時間:2025-02-21
  • HC-40日本nms HC濾芯
    HC-40日本nms HC濾芯

    日本nms HC濾芯HC-40 一種完的全由聚丙烯制成的經(jīng)濟型濾芯。它用作凈水器中的預過濾器,用于殺菌和去除顆粒。 規(guī)格 材質(zhì)(本體):聚丙烯 過濾材料:聚丙烯 最高工作溫度:80℃ at 0.1MPa 最大工作壓力:0.5MPa at 21℃

    更新時間:2024-08-29
  • Clean Pro - RZ日本jtekt滾珠軸承
    Clean Pro - RZ日本jtekt滾珠軸承

    日本jtekt滾珠軸承 Clean Pro - RZ 適用于需要長壽命的清潔環(huán)境 凝膠狀含氟聚合物涂層的 使用壽命比傳統(tǒng)產(chǎn)品長 10 倍以上。

    更新時間:2024-08-29
  • HZ-960日本horiba溶解臭氧濃度計
    HZ-960日本horiba溶解臭氧濃度計

    日本horiba溶解臭氧濃度計HZ-960 高精度、寬測量范圍溶解臭氧濃度計。重復性:F.S.+/- 0.2%??蛇x擇 4 種測量范圍的在線傳感器。

    更新時間:2024-08-28
  • CS-900日本horiba非接觸式化學藥液濃度計
    CS-900日本horiba非接觸式化學藥液濃度計

    日本horiba非接觸式化學藥液濃度計CS-900 為達到半導體濕法制程中所需的嚴格化學藥液濃度控制,HORIBA 通過設計緊湊設備,以及通過其原有傳感器設計保持穩(wěn)定測量和確保操作人員安全,實現(xiàn)更強大功能以滿足需求。

    更新時間:2024-08-28
  • PARUCOCERAM SI日本rundum半導體浸硅碳化硅成型體
    PARUCOCERAM SI日本rundum半導體浸硅碳化硅成型體

    日本rundum半導體浸硅碳化硅成型體PARUCOCERAM SI 采用高純SiC原料制成的浸硅碳化硅成型體。用作半導體熱處理材料。我們擁有從原材料到成品的一體化制造工藝,擁有采用高強度連接方法制造長度超過3米的大型產(chǎn)品和復雜形狀產(chǎn)品的獨的特技術(shù)。

    更新時間:2024-08-28
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