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產(chǎn)品型號(hào)：CS-620F
更新時(shí)間：2024-08-28簡要描述：日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計(jì) CS-620F在 3D NAND 制程中，沉積幾十層二氧化硅和氮化硅，并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中，通過控制化學(xué)藥液的濃度和溫度，可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號(hào)很難測(cè)量高溫化學(xué)藥液，但 CS-620F 能夠在高達(dá) 170℃ 的高溫下進(jìn)行測(cè)量。使用吸收光譜進(jìn)行連續(xù)測(cè)量，與其他方法相比，需要的維護(hù)和耗材更少。
| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 |
|---|---|---|---|
| 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,能源,電子/電池,綜合 |
日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計(jì) CS-620F
在 3D NAND 制程中，沉積幾十層二氧化硅和氮化硅，并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中，通過控制化學(xué)藥液的濃度和溫度，可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號(hào)很難測(cè)量高溫化學(xué)藥液，但 CS-620F 能夠在高達(dá) 170℃ 的高溫下進(jìn)行測(cè)量。使用吸收光譜進(jìn)行連續(xù)測(cè)量，與其他方法相比，需要的維護(hù)和耗材更少。
主要特征：
可測(cè)量高達(dá) 92% 的高濃度磷酸
無需冷卻機(jī)制和冷卻時(shí)間。
無需冷卻循環(huán)管路中的高溫磷酸（140 至 170℃），可直接測(cè)量。
樣品使用PFA接觸，以降低污染風(fēng)險(xiǎn)。
采用每半年一次的背景校正周期，有助于顯著減少機(jī)臺(tái)停機(jī)時(shí)間。
每3秒更新一次測(cè)量數(shù)據(jù)，有助于更快速使用濃度反饋進(jìn)行控制
日本horiba光纖型高溫磷酸濃度計(jì) CS-620F
在 3D NAND 制程中，沉積幾十層二氧化硅和氮化硅，并使用高溫磷酸選擇性地刻蝕氮化硅層。在該制程中，通過控制化學(xué)藥液的濃度和溫度，可以獲得期望的刻蝕速率。成熟型號(hào)很難測(cè)量高溫化學(xué)藥液，但 CS-620F 能夠在高達(dá) 170℃ 的高溫下進(jìn)行測(cè)量。使用吸收光譜進(jìn)行連續(xù)測(cè)量，與其他方法相比，需要的維護(hù)和耗材更少。
主要特征：
可測(cè)量高達(dá) 92% 的高濃度磷酸
無需冷卻機(jī)制和冷卻時(shí)間。
無需冷卻循環(huán)管路中的高溫磷酸（140 至 170℃），可直接測(cè)量。
樣品使用PFA接觸，以降低污染風(fēng)險(xiǎn)。
采用每半年一次的背景校正周期，有助于顯著減少機(jī)臺(tái)停機(jī)時(shí)間。
每3秒更新一次測(cè)量數(shù)據(jù)，有助于更快速使用濃度反饋進(jìn)行控制
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